忆阻器（Memristor）是一种具有记忆功能的非线性电阻器，继电阻、电容和电感之后的第四种基本电路元件，1971年从理论上预言，并在2008年首次实现。忆阻器作为一种仿神经器件，在类脑计算、脑机接口等领域具有巨大潜力。

在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的大力支持下，我室于萍课题组近年来一直致力于流体忆阻器的研究，在器件构筑、传输原理及应用方面展开了系统研究。在前期研究中，该团队设计构筑了聚电解质限域流体体系 (J. Am. Chem. Soc.2017,139,1396–1399;Angew. Chem. Int. Ed. 2018, 57,4590.) ，发现了该体系中的忆阻行为，并首次实现了突触可塑性的化学调控行为、神经化学信号与电信号转导的模拟 (Science.2023,379,156-161)，为发展类化学突触功能器件、神经智能传感、神经形态计算等提供了新的思路。

近期，课题组通过设计新型流体忆阻器器件结构和原理，提出并发展了基于有机液膜的离子选择性忆阻器。他们构建了溶有二苯并18-冠醚-6的二氯乙烷液膜体系，发现此体系具有忆阻器的特征，利用液膜中离子的浓度分布变化，实现了器件的记忆效应，成功模拟了多种神经电行为。相比于传统固体器件，所发展的流体器件具有可与生物体系相比拟的工作电压和功耗。更重要的是，利用二苯并18-冠醚-6的钾离子选择性，该器件首次实现了对依赖于离子选择性的神经功能，如静息电位等的模拟，为实现多离子并行类脑智能传感和类脑计算奠定了基础。相关研究结果发表在上PNAS期刊上(https://doi.org/10.1073/pnas.2417040122 (2025)), 文章第一作者是博士生解博扬，通讯作者为于萍研究员，完成单位为中国科学院化学研究所、中国科学院大学。

基于仿生有机液膜的离子选择性忆阻器件